Vitesco sichert sich Zugriff auf SIC-Halbleiter bei Rohm

Der Regensburger E-Antriebsspezialist Vitesco Technologies hat sich durch eine langfristige Partnerschaft mit dem japanischen Chiphersteller ROHM strategisch wichtige Kapazitäten bei energieeffizienten Leistungshalbleitern aus Siliziumkarbid gesichert. Die Vereinbarung betrifft Chips im Wert von über einer Milliarde US-Dollar bis zum Jahr 2030. Die 2020 begonnene Entwicklungspartnerschaft mit dem Hersteller soll dafür die Grundlage bilden. Die fortschrittlichen Wechselrichter von Vitesco Technologies mit integrierten ROHM-SiC-Chips werden von zwei Automobilherstellern für den Einsatz in Antriebssträngen von Elektrofahrzeugen übernommen, avisierte der Anbieter, bereits ab 2024 als erstes Serienprojekt. Damit liege das Unternehmen sogar vor der ursprünglichen Zeitschiene.

SiC ist die Schlüsselkomponente für besonders effiziente Leistungselektronik, wie sie beispielsweise für die Inverter von Elektroautos benötigt werden. Insbesondere bei hohen Spannungen sowie für Fahrzeuge mit anspruchsvollen Reichweitenzielen und optimaler Gesamteffizienz sehen die Regensburger SiC-Chips als Schlüsseltechnologie an. Im Verlauf der bestehenden Entwicklungspartnerschaft habe man bereits die relevanten SiC-Chips für den 2024 anlaufenden Einsatz in Automobilinvertern weiter optimiert.

„Die Entwicklungspartnerschaft ist ein wichtiger Baustein zur Absicherung der SiC-Kapazitäten von Vitesco Technologies in den kommenden Jahren. Wir haben in der Zusammenarbeit bisher sehr gute Erfahrungen gemacht und freuen uns, diese nun nicht nur fortzusetzen, sondern auch weiter zu intensivieren“, erklärte Andreas Wolf, Vorstandsvorsitzender von Vitesco Technologies, anlässlich der Unterzeichnung in Regensburg.

Im wachstumsträchtigen Automobilmarkt sei SiC ein Wegbereiter für höhere Effizienz. Mit einem erwarteten höheren Marktanteil von über 30 Prozent sieht sich ROHM stark aufgestellt. Man habe in Vitesco Technologies einen strategischen Partner für die weitere Marktdurchdringung gewonnen, meinte Kazuhide Ino, Member of the Board, Managing Executive Officer und CFO von ROHM Co. Ltd. bei der Unterzeichnung.

Schlaue Chips: Kleine Ursache – große Wirkung

Siliziumkarbid gehört zu den sogenannten Wide-Bandgap-Halbleitern, deren breite Bandlücke - oder vereinfacht, die Energiespannungslücke zwischen dem nichtleitenden Zustand und dem leitfähigen Zustand der Elektronen im Werkstoff - einen geringeren elektrischen Widerstand sowie schnell und verlustarm schaltende Chips für die Leistungselektronik ermöglichen, skizziert der Anbieter. Gleichzeitig sind SiC-Chips thermisch widerstandsfähiger, so dass sich die Leistungsdichte einer Elektronik steigern lässt, so die Regensburger. Dank dieser Merkmale wiesen SiC-Elektroniken gegenüber konventionellem Silizium (Si) verringerte Wandlungsverluste auf. Vor allem bei hohen Spannungslagen wie 800 Volt sind SiC-Inverter effizienter als Si-Modelle. Da 800 Volt die Voraussetzung für ein schnelles und damit komfortables Hochvoltladen ist, steht der Rohstoff SiC am Anfang eines weltweiten Booms. Reduzierte Wandlungsverluste im Inverter seien außerdem für die Gesamteffizienz des elektrischen Fahrens und damit für die Reichweite bedeutend. Entsprechend groß stelle sich der Wettbewerb um ausreichende Kapazitäten bei Komponenten aus diesem High-Tech-Material dar, so der Zulieferer.